FQNL2N50BTA دیتاشیت

FQNL2N50B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQNL2N50B
حجم فایل 995.279 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQNL2N50B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Base Part Number: FQNL2
  • detail: N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3

محصولات مشابه